N42 16mm وO.D العاشر 8MM I.D العاشر 3mm سميكة النيوديميوم الدائري مغناطيس قوي نادر الأرض مغناطيس حيث لشراء المغناطيس الدائري
$6.99
| مواد | ندفيب, الصف N42 |
| شكل | حلقة / الفجوة |
| قطر Outrt | 16 مم |
| القطر الداخلي | 8 مم |
| ارتفاع | 3 مم |
| تفاوت | +/- 0.05 مم |
| طلاء | النيكل مطلي (النيكل والنحاس والنيكل) |
| مغنطة | محوري (البولنديين على شقة ينتهي) |
| قوة | ولكنها تعمل. 1.9كلغ |
| ماكس. درجة حرارة العمل | 80° C |
| وزن(1 قطعة) | 2.8 ز |
N42 16 س 8 العاشر 3mm سميكة سوبر قوي الدائري مغناطيس النادرة النيوديميوم المغناطيس الدائري مغناطيس مغناطيس 16mm والتطوير التنظيمي الأنبوبة
تخصيص:
| MATEIRAL | ندفيب,النيوديميوم المغناطيس |
| درجة | N42 |
| القطر الداخلي | 8مم |
| القطر الخارجي | 16مم |
| سماكة | 3مم |
| درجة حرارة العمل | 80° C |
| أداء (الغاوس وحدة الحث المغنطيسي) | 3300 الغاوس وحدة الحث المغنطيسي |
| اتجاه جذب المغناطيس | المحوري المغنطة |
| الطلاء طلاء | النحاس هو |
| اللون | فضة |
الميزات:
يرصد هذا مغناطيس قوي ندفيب, مظهر لا الصدأ, عادة ما توضع في درجة حرارة الغرفة,
يرصد هذا مغناطيس قوي ندفيب, مظهر لا الصدأ, عادة ما توضع في درجة حرارة الغرفة,
أقصى درجة حرارة التشغيل 80 ° C, وأبدا لن إزالة المغناطيسية.
تلميح:
1. يجب مغناطيس قوي الابتعاد عن المشغولات الحديدية وبعض منتجات الحديد الممغنط بسهولة, هذه
كمراقبين, البطاقات المصرفية, أجهزة الكمبيوتر, التلفزيون, الهواتف المحمولة وغيرها.
كمراقبين, البطاقات المصرفية, أجهزة الكمبيوتر, التلفزيون, الهواتف المحمولة وغيرها.
2. يجب أن يتم تخزين مغناطيس قوي في منطقة جافة, بيئة ساخنة, وتحتاج إلى استخدام البلاستيك, خشب,
ورق مقوى, رغوة لفصل وملفوفة.
ورق مقوى, رغوة لفصل وملفوفة.
3. قد يكون المغناطيس ترغب في عداد المياه ,عداد الكهرباء, الغاز متر وبعض معدات القياس
وجود بعض غير دقيقة تؤثر (مثل: إذا المغناطيس وضعت بالقرب من متر, سيكون المقياس تبطئ).
وجود بعض غير دقيقة تؤثر (مثل: إذا المغناطيس وضعت بالقرب من متر, سيكون المقياس تبطئ).
الحزمة تشمل:
10س مغناطيس حلقة قوية
كن الاول في المعاينة "N42 16mm وO.D العاشر 8MM I.D العاشر 3mm سميكة النيوديميوم الدائري مغناطيس قوي نادر الأرض مغناطيس حيث لشراء المغناطيس الدائري”
يجب ان تكون تم تسجيل الدخول لنشر مراجعة.
التعليقات
لا توجد توصيات بعد.